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JMTJ100N02A 发布时间 时间:2025/7/3 14:46:08 查看 阅读:9

JMTJ100N02A 是一款由 JSC(捷敏半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特点,适用于多种功率转换和负载开关应用。其封装形式为 TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
  这款 MOSFET 的额定电压为 20V,能够处理高达 100A 的脉冲电流,非常适合驱动大电流负载,例如电机控制、LED 驱动以及 DC-DC 转换器等。

参数

最大漏源电压:20V
  最大连续漏极电流:47A
  最大脉冲漏极电流:100A
  导通电阻(典型值):1.3mΩ
  栅极电荷:36nC
  输入电容:1980pF
  总电容:880pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

JMTJ100N02A 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功率损耗并提高效率。
  2. 高脉冲电流承载能力,适用于瞬态电流较高的场景。
  3. 快速开关性能,有助于减少开关损耗。
  4. 小型化 DPAK 封装,节省 PCB 空间。
  5. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
  6. 出色的热稳定性和可靠性,延长使用寿命。
  这些特点使得该 MOSFET 成为高效能功率管理的理想选择。

应用

JMTJ100N02A 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 大功率 LED 驱动器。
  4. 工业自动化设备中的负载开关。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  6. 各种消费类电子产品的 DC-DC 转换器。
  由于其高性能和可靠性,这款 MOSFET 在需要高效率和大电流处理能力的应用中表现尤为出色。

替代型号

IRLB8721, AO3400A, FDN366AN

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