时间：2025/7/3 14:46:08
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JMTJ100N02A 是一款由 JSC（捷敏半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特点，适用于多种功率转换和负载开关应用。其封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），能够满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
这款 MOSFET 的额定电压为 20V，能够处理高达 100A 的脉冲电流，非常适合驱动大电流负载，例如电机控制、LED 驱动以及 DC-DC 转换器等。
最大漏源电压：20V
最大连续漏极电流：47A
最大脉冲漏极电流：100A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：36nC
输入电容：1980pF
总电容：880pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
JMTJ100N02A 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低功率损耗并提高效率。
2. 高脉冲电流承载能力，适用于瞬态电流较高的场景。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
4. 小型化 DPAK 封装，节省 PCB 空间。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
6. 出色的热稳定性和可靠性，延长使用寿命。
这些特点使得该 MOSFET 成为高效能功率管理的理想选择。
JMTJ100N02A 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 大功率 LED 驱动器。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
6. 各种消费类电子产品的 DC-DC 转换器。
由于其高性能和可靠性，这款 MOSFET 在需要高效率和大电流处理能力的应用中表现尤为出色。
IRLB8721, AO3400A, FDN366AN
