WFP2N60 时间：2025/4/25 15:55:48 阅读：31

WFP2N60是一款高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。它通常用于开关电源、直流电机驱动、逆变器等应用中，能够实现高效的电力转换和控制。该器件具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特点，适合需要高性能和高可靠性的电路设计。
　　WFP2N60的封装形式一般为TO-220或TO-252，便于散热和安装，同时其引脚布局简单，方便与外围电路连接。

参数

最大漏源电压：600V
　　最大连续漏电流：2A
　　最大栅极源极电压：±20V
　　导通电阻（典型值）：4.5Ω
　　总功耗：78W
　　工作结温范围：-55℃至175℃
　　存储温度范围：-55℃至150℃

特性

WFP2N60的主要特性包括：
　　1. 高耐压能力，额定漏源电压高达600V，适用于各种高压应用场景。
　　2. 较低的导通电阻，在额定电流下能有效减少功率损耗。
　　3. 快速开关特性，支持高频操作，有助于提升整体系统效率。
　　4. 强大的抗雪崩能力，确保在异常条件下也能稳定运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范要求。
　　6. 宽泛的工作温度范围，适应极端环境下的使用需求。

应用

WFP2N60广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. 直流电机驱动器中的开关元件。
　　3. 逆变器电路中的功率转换组件。
　　4. 脉宽调制（PWM）控制器中的开关器件。
　　5. 各种工业控制设备中的电力管理模块。
　　6. 不间断电源（UPS）系统的功率输出级。