类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600 V
　　连续漏极电流（Id）：1.5 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：6 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 4.5 Ω @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vth）：典型值 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 45 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 18 pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成续流二极管，不适用
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-223

2SK2623-E具备多项优异的电气与物理特性，使其成为高压开关应用中的理想选择。首先，其高达600V的漏源击穿电压使其能够应用于离线式开关电源设计中，支持宽范围的输入电压条件，包括标准AC 100V至240V整流后的高压直流母线环境。这使得它可以在全球通用的电源适配器、LED驱动电源和小型家电电源中广泛使用。其次，该器件的低导通电阻（典型值仅为4.5Ω）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了能源利用效率，有助于满足日益严格的能效标准，如Energy Star或DoE Level VI等环保规范。
　　该MOSFET采用东芝专有的平面栅极技术，优化了载流子迁移路径，提升了器件的一致性和长期稳定性。同时，该工艺还改善了跨导（Transconductance）性能，增强了栅极对漏极电流的控制能力，在动态负载条件下仍能保持良好的线性响应。此外，器件的输入电容和输出电容均保持在较低水平，分别为45pF和18pF，这意味着在高频开关操作时所需的驱动能量更少，有利于降低驱动电路的复杂度和功耗，特别适合用于高频DC-DC变换器或谐振拓扑结构中。
　　SOT-223封装不仅体积小巧，而且集成了大面积的散热片引脚，通常连接到PCB的地层或散热区域，可有效传导内部产生的热量，提升热管理效率。这种设计使2SK2623-E即使在有限空气流动的环境中也能维持较低的工作温度，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。此外，该器件具有较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt耐受性，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定运行，增强了整个系统的鲁棒性。最后，其符合RoHS指令的环保特性也使其适用于出口型产品和绿色电子产品设计。

2SK2623-E主要应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在需要高电压隔离与高效能转换的场合表现突出。典型应用包括但不限于：AC-DC适配器、充电器电源模块（如手机、笔记本电脑等便携设备的外置电源）、LED照明驱动电源、小型逆变器、家用电器内置电源单元以及工业传感器供电模块等。由于其具备600V的耐压能力和良好的热稳定性，常被用作反激式（Flyback）转换器中的主开关元件，在初级侧实现高频斩波功能，将高压直流电转换为脉冲能量并通过变压器传输至次级侧。
　　此外，该器件也可用于同步整流电路中作为控制开关，替代传统二极管以降低正向压降和传导损耗，从而提高整体转换效率。在电池管理系统（BMS）或UPS不间断电源中，2SK2623-E可用于电源切换或负载保护电路，实现快速通断控制。其SOT-223封装形式非常适合自动化贴片生产线，广泛应用于消费类电子产品的大规模制造过程中。同时，因其具备较高的抗干扰能力和温度适应性，也被用于工业控制领域的远程I/O模块、PLC辅助电源等对可靠性要求较高的环境中。

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　　 "2SK2623",
　　 "2SK2623-TL-E",
　　 "2SK2623-FPE",
　　 "STP6NK60Z",
　　 "2SK2973",
　　 "2SK2972",
　　 "KSC2410Y",
　　 "FQP6N60"
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