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H9HP52AECMMDBRKMM 发布时间 时间:2025/9/1 14:04:48 查看 阅读:14

H9HP52AECMMDBRKMM 是由SK Hynix(现为Solidigm)生产的一款高性能3D NAND闪存芯片,属于其企业级存储产品线。这款芯片主要用于数据中心、服务器、固态硬盘(SSD)等对性能、可靠性和数据吞吐量有高要求的应用场景。H9HP52AECMMDBRKMM 是基于多层堆叠的3D NAND技术制造,具备较高的存储密度和读写性能。

参数

容量:1TB
  接口类型:UFS 3.1
  封装形式:BGA
  工作电压:2.8V / 1.8V
  最大顺序读取速度:2100MB/s
  最大顺序写入速度:1700MB/s
  随机读取IOPS:约450K
  随机写入IOPS:约420K
  耐用性:约3000 P/E 周期
  工作温度范围:0°C 至 85°C

特性

H9HP52AECMMDBRKMM 采用先进的3D NAND闪存技术,具备卓越的存储密度和性能表现。其UFS 3.1接口提供了高速的数据传输能力,适用于需要快速响应和高吞吐量的企业级存储应用。
  该芯片支持多种高级功能,包括纠错码(ECC)、磨损均衡(wear leveling)、垃圾回收(garbage collection)和动态/静态数据读取优化。这些特性有助于提高存储系统的可靠性、延长使用寿命并优化性能表现。
  此外,H9HP52AECMMDBRKMM 还具备良好的功耗管理能力,支持低功耗模式,适用于对能效有严格要求的应用环境。其BGA封装形式也便于在紧凑的电路板设计中使用,提高了整体系统的集成度和稳定性。

应用

H9HP52AECMMDBRKMM 主要应用于高性能固态硬盘(SSD)、企业级服务器存储、数据中心存储解决方案、高端笔记本电脑和嵌入式系统等需要高速、高可靠性存储的设备中。由于其高带宽和低延迟特性,也非常适合用于人工智能、大数据处理和云计算等高性能计算场景。

替代型号

H9HP52ACPMMDARKEC, H9HQ82AE2MMUBRKMM

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