JMJ325KB7476KMHP 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统效率并降低能耗。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,支持高频工作环境,适合用于需要快速响应和高效能量转换的场景。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):700V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):0.5Ω
功耗(Ptot):28W
结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
JMJ325KB7476KMHP 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,在高电流条件下显著减少功耗和发热问题。
2. 高耐压能力,支持高达 700V 的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
3. 快速开关性能,减小了开关损耗,提升了整体系统的效率。
4. 强大的热稳定性,能够在极端温度范围内正常运行,确保长期可靠性。
5. 优化的 ESD 防护设计,增强了器件在恶劣环境中的抗干扰能力。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动与控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 电动汽车充电设备及车载电子系统。
5. 各类负载切换和保护电路。
JMJ325KB7476KMHP 凭借其出色的性能参数,成为这些领域中关键功率管理组件的理想选择。
IRFP460, STP75NF06L, FQP17N50