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JM38510/65705BRA 发布时间 时间:2025/5/7 13:49:46 查看 阅读:9

JM38510/65705BRA是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和良好的热性能等特点,适合在高频率和大电流条件下工作。
  这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,其设计能够显著降低功耗并提升系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:68nC
  开关速度:快速
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少功率损耗,提高能效。
  2. 高电流承载能力,可满足工业级应用需求。
  3. 支持高频开关操作,适应现代电力电子设备的要求。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,能够在极端温度环境下长期运行。
  5. 内置静电保护功能,增强了器件的抗干扰能力。
  6. 符合RoHS标准,环保且适用于绿色能源解决方案。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机控制。
  3. DC-DC转换器的核心功率元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理单元。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06
  FDP5500

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JM38510/65705BRA参数

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  • 电压 - 供电-
  • 工作温度-
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 供应商器件封装-