时间：2022/10/10 16:07:01
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MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC 表面贴装型 N 通道 3.13W
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC 表面贴装型 N 通道 3.13W
16 A、30 V RDS(ON) = 8.0 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
用于极低 RDS(ON) 的高性能沟槽技术 ? MOSFET 和肖特基之间无电感
体二极管正向电压降低 40%
经过优化以减少同步降压稳压器的损耗
FLMP SO-8 封装，用于增强热性能。
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PowerTrench®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
额定电压(DC)：30.0 V
额定电流：16.0 A
通道数：1
漏源极电阻：8 mΩ
极性：N-Channel
耗散功率：3 W
漏源极电压(Vds)：30 V
漏源击穿电压：30 V
栅源击穿电压：±16.0 V
连续漏极电流(Ids)：16.0 A
上升时间：20 ns
输入电容(Ciss)：2800pF @15V(Vds)
额定功率(Max)：1.5 W
下降时间：18 ns
工作温度(Max)：150 ℃
工作温度(Min)：55 ℃
耗散功率(Max)：3.13W (Ta)
安装方式：Surface Mount
引脚数：8
长度：4.9 mm
宽度：3.9 mm
高度：1.75 mm
工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2800pF @ 15V
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）裸露焊盘，8-eSOIC. 8-HSOIC
