型号：JL4200B-F
　　封装类型：SOT-23-6
　　工作电压范围：2.5V ~ 6.0V
　　静态电流：≤3μA（典型值）
　　过压保护阈值：4.35V ± 25mV
　　欠压保护阈值：2.8V ± 80mV
　　过温保护阈值：85°C ± 10°C
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　输出驱动能力：N沟道MOSFET栅极驱动
　　保护响应时间：≤10ms
　　恢复方式：自动恢复/手动恢复可配置

JL4200B-F的核心特性之一是其高精度电压检测能力，内部集成了一个基于带隙基准的精密电压参考源，确保在全温度范围内保持稳定的过压和欠压阈值。其过压保护点设定为4.35V，误差控制在±25mV以内，能够精准匹配锂离子电池的充电终止电压，避免过度充电导致热失控或寿命衰减。欠压保护阈值为2.8V，防止电池深度放电造成不可逆损伤。这两个阈值均经过出厂校准，无需外部调节，提升了生产一致性。
　　该芯片采用双比较器架构，分别用于监测充电过压和放电欠压状态，并结合逻辑控制模块驱动外部MOSFET开关。当电池电压超过或低于设定阈值时，芯片会快速切断相应的充放电通路，响应时间小于10毫秒，确保在突发故障下及时响应。同时，芯片内置温度传感器，可在芯片结温过高时启动过温保护机制，进一步增强系统安全性。
　　JL4200B-F支持自动恢复和锁存模式两种工作模式，用户可通过引脚配置选择所需行为。在自动恢复模式下，一旦故障条件解除，系统将自动恢复正常工作；而在锁存模式下，则需断开电源或重新上电才能复位，适用于更高安全等级的应用。此外，该芯片具有出色的抗ESD能力（HBM模型≥4kV），增强了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。
　　低功耗设计是另一关键优势，静态电流低至3μA以下，使得其在电池长期待机状态下几乎不消耗能量，显著延长设备续航时间。其小型化封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴装，适用于大规模量产。整体电路设计简洁，仅需外接两个N-MOSFET和少量无源元件即可构成完整保护电路，极大降低了设计难度和物料成本。

JL4200B-F广泛应用于各类单节锂电池供电的便携式电子产品中，尤其是在对安全性、尺寸和功耗有严格要求的设备中表现出色。典型应用场景包括蓝牙耳机、智能手环、TWS耳机、电子烟、移动电源、小型无人机、POS机、无线鼠标键盘、电动玩具以及各种IoT终端设备。在这些应用中，锂电池作为主要能源，必须配备可靠的保护电路以防止过充、过放、短路和高温风险，而JL4200B-F正好提供了集成度高、性能稳定的解决方案。
　　在消费类电子产品中，由于产品体积小、电池容量有限，因此对保护芯片的尺寸和功耗极为敏感。JL4200B-F凭借其SOT-23-6的小型封装和超低静态电流，成为理想选择。例如，在TWS耳机中，每侧耳塞内部空间极其紧凑，任何元器件都必须尽可能微型化，同时要求长时间待机，JL4200B-F完美契合这一需求。
　　在工业和医疗领域，一些手持式检测仪器或可穿戴健康监测设备也采用单节锂电池供电，且对系统可靠性要求较高。JL4200B-F的宽温工作能力和多重保护机制能够满足这类严苛环境下的运行需求。此外，该芯片还可用于电动牙刷、剃须刀、LED照明灯等家用电器中的电池管理模块。
　　由于其引脚定义清晰、外围电路简单，工程师可以快速完成原理图设计和PCB布局，缩短产品开发周期。配合合适的MOSFET选型，JL4200B-F能够支持高达数安培的持续充放电电流，适应不同功率等级的应用需求。总体而言，该芯片以其高集成度、高可靠性与低成本优势，在中小型锂电保护市场中占据重要地位。

DW01A
　　S-8201AB
　　R5421N275AA
　　IP2313HN