类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A（@25℃）
　　功耗（Pd）：62.5W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

JCS8N65CB-O-C-N-B具备多项优异特性，适用于高性能电源系统。首先，其漏源耐压高达650V，能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电源、AC/DC转换器等应用场景。其次，该MOSFET在25℃环境下的连续漏极电流可达8A，具备良好的电流承载能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　此外，该器件采用了先进的平面工艺和沟槽技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其低栅极电荷（Qg）特性也有助于提高开关速度，降低开关损耗，特别适合高频开关应用。
　　在封装方面，JCS8N65CB-O-C-N-B采用TO-220标准封装，散热性能良好，便于安装和散热片连接，适用于多种工业和消费类电子设备。该封装还具备良好的机械强度和热稳定性，有助于提升器件在恶劣环境下的可靠性。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55℃至+150℃，具备优异的热稳定性和宽温度适应能力，适用于户外、工业控制、车载电子等多种严苛环境下的应用。同时，其存储温度范围也达到-55℃至+150℃，保证了在运输和存储过程中不会因温度变化而损坏。

JCS8N65CB-O-C-N-B广泛应用于各类电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明电源、家电控制板、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备等。由于其高耐压和高电流承载能力，它特别适合用于需要频繁开关、高效率转换和高可靠性的场合。
　　例如，在开关电源中，该MOSFET可用于主开关电路，作为功率转换的核心元件，实现高效的能量传输；在DC-DC转换器中，它可以作为同步整流器或高频开关元件，提升转换效率并减少热量产生。此外，在电机控制和驱动电路中，该器件能够承受较高的电流冲击和反向电动势，确保系统运行的稳定性和安全性。
　　在LED照明系统中，JCS8N65CB-O-C-N-B可用于恒流驱动电路，实现高效率的功率调节。在家电产品如变频空调、电磁炉、微波炉等中，该MOSFET可作为功率开关，控制加热元件或电机的运行状态。其高可靠性和宽温度适应能力也使其成为车载电源、新能源系统和工业控制设备中的理想选择。

SiHF8N65D, STF8N65M5, FQP8N65C, IRF8N65C