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MMBZ5238BTW_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 5:53:22 查看 阅读:14

MMBZ5238BTW_R1_00001 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和保护电路。该器件采用SOT-23封装,适用于各种便携式电子设备、电源管理系统和信号调节电路。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOT-23
  标称齐纳电压:5.6 V
  齐纳电压容差:±5%
  最大耗散功率:300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  引脚数:3

特性

MMBZ5238BTW_R1_00001 是一款高稳定性的齐纳二极管,具备优异的电压调节性能和温度稳定性。其主要特性包括低动态阻抗、快速响应时间和高可靠性。该器件能够在较宽的电流范围内提供稳定的齐纳电压,适用于要求高精度电压参考和稳压的应用场景。此外,其SOT-23封装形式适合高密度PCB布局,并具备良好的热性能。
  该齐纳二极管的额定功率为300mW,可在最大工作电流下保持稳定的电压输出。其±5%的电压容差确保了在不同工作条件下仍能提供精确的电压基准。此外,该器件具备较低的温度系数,能够在宽温度范围内保持稳定的电压性能,适用于工业级和汽车级应用环境。
  MMBZ5238BTW_R1_00001 还具备良好的瞬态响应能力,能够快速响应输入电压或负载的变化,保持输出电压的稳定。这种特性使其非常适合用于电源管理电路、参考电压源、电压检测电路以及过压保护电路中。

应用

MMBZ5238BTW_R1_00001 主要用于需要稳定电压参考的电路中,如开关电源、DC-DC转换器、电池充电器、电压监测器、模拟电路参考源以及各种电子系统的稳压保护电路。此外,该器件也广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子系统中。

替代型号

MMBZ5238BHT1G, MMBZ5238BWT1G, BZX84C5V6

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MMBZ5238BTW_R1_00001参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,252,000 : ¥0.40783卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 配置3 个独立式
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)8.7 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)8 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏3 μA @ 6.5 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装SOT-363