JCS10N65FT 是一款由JCS(江苏长电科技)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高功率、高速开关应用设计,适用于各类电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。其采用了先进的沟槽栅工艺技术,确保了低导通电阻和出色的热稳定性。此外,JCS10N65FT封装形式为TO-252(DPAK),便于散热和安装,适用于表面贴装技术。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):650V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A(Tc=25℃)
脉冲漏极电流(Idm):40A
导通电阻(Rds(on)):≤0.75Ω @ Vgs=10V
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:TO-252(DPAK)
JCS10N65FT具有多项显著的性能优势,首先,其650V的漏源电压额定值使其能够稳定应用于高电压系统中,例如开关电源和高压直流电机控制。其次,该MOSFET的导通电阻较低,在Vgs=10V时最大仅为0.75Ω,这显著降低了导通损耗,提高了整体能效。
此外,JCS10N65FT采用了先进的沟槽栅结构技术,提升了器件的开关速度和稳定性,使其适用于高频开关操作,有助于减小外围电路的体积和重量。同时,该器件具备良好的热性能,TO-252封装提供了较大的散热面积,能够有效地将热量传导至PCB板上,从而延长器件寿命并提高系统的可靠性。
在安全性方面,JCS10N65FT具备较高的抗静电能力和过温保护特性,能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。其±20V的栅源电压耐受能力也为电路设计提供了更大的灵活性,防止因过压而导致的损坏。综上所述,JCS10N65FT是一款性能优越、可靠性高的功率MOSFET,广泛适用于各种工业级应用。
JCS10N65FT 主要应用于各类电力电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED驱动器、电机控制模块以及电池管理系统等。其高耐压特性也使其适用于光伏逆变器、UPS不间断电源和工业自动化控制系统等高压场合。
在消费类电子产品中,JCS10N65FT可用于高性能电源管理模块,提供高效稳定的电流控制。此外,在电动汽车充电设备、智能家电以及工业马达驱动系统中,该MOSFET也表现出良好的性能,是实现高效能、低功耗系统设计的理想选择。
SiHP05N65FD, FQP10N65C, STF10N65M2, IXTQ10N65X