容量：8Mbit
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　封装类型：8-WDFN
　　存储架构：Flash
　　擦写周期：100,000次
　　数据保持时间：20年
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

W25Q80JVPIM 的主要特性之一是其高效的存储管理能力。该芯片支持标准、双输出和四输出的 SPI 模式，最高时钟频率可达80MHz，确保了快速的数据读写能力。此外，它支持多种擦除方式，包括4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除以及全片擦除，满足不同应用对数据管理的需求。
　　该芯片内置了256字节的页面编程缓冲区，允许用户一次写入最多256字节的数据，提高了编程效率。为了确保数据安全，W25Q80JVPIM 提供了硬件和软件写保护功能，可以保护部分或全部存储区域免受意外写入或擦除。
　　在可靠性方面，该芯片具备高耐用性和数据保持能力，支持10万次擦写周期，数据可保持长达20年。其宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）也使其适用于各种工业环境。
　　功耗方面，W25Q80JVPIM 在工作模式和待机模式下的功耗都非常低，有助于延长电池供电设备的续航时间。

W25Q80JVPIM 主要应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中，例如智能卡、传感器节点、可穿戴设备、物联网（IoT）设备、手持设备等。由于其高可靠性、低功耗和小封装尺寸，该芯片非常适合用于空间受限和对功耗敏感的便携式电子产品。
　　在工业控制领域，W25Q80JVPIM 可用于存储固件代码、校准数据或用户配置信息。在消费类电子产品中，该芯片广泛用于存储操作系统启动代码（如 BIOS）、系统参数设置或用户数据。
　　此外，该芯片也适用于需要高数据安全性的应用场景，例如安全密钥存储、设备认证信息保存等。其支持的多种擦写方式也使其在频繁更新数据的场合具有优势，例如日志记录、缓存存储等。

W25Q80JVSSIQ, W25Q80JVPIG, W25Q80JVFIG