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MWI300-17E9 发布时间 时间:2025/8/6 6:33:35 查看 阅读:22

MWI300-17E9 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的射频(RF)功率晶体管,主要用于高频和高功率应用。这款晶体管基于硅(Si)技术,采用双极型晶体管(BJT)结构,适用于通信设备、工业加热设备和射频放大器等应用。MWI300-17E9 提供了良好的线性度和高效率,适合用于 L 波段和 S 波段的射频功率放大。

参数

类型:双极型晶体管(BJT)
  晶体管类型:NPN
  频率范围:1700 - 1750 MHz
  最大输出功率:300 W(CW)
  增益:约 17 dB
  效率:约 55%
  工作电压:28 V
  封装类型:气密封陶瓷封装
  最大工作温度:200°C

特性

MWI300-17E9 是一款高性能射频功率晶体管,专为高频率和高功率应用而设计。该器件在 1700 - 1750 MHz 频率范围内提供高达 300 W 的连续波(CW)输出功率,适用于 L 波段和 S 波段的通信和雷达系统。
  其高增益特性(约 17 dB)和高效率(约 55%)使其在射频功率放大器中表现出色,能够有效减少功耗并提高系统整体效率。该晶体管采用气密封陶瓷封装,提供优异的热稳定性和机械稳定性,适合在严苛的工业和军事环境中使用。
  MWI300-17E9 还具有良好的热阻性能,能够在高温环境下稳定工作,最大工作温度可达 200°C。这使得它在高功率密度设计中具有更高的可靠性,减少了系统冷却的需求。
  此外,该晶体管的输入和输出匹配网络已集成在芯片内部,简化了外部电路设计,降低了设计复杂度,并减少了 PCB 的空间占用。

应用

MWI300-17E9 主要用于需要高功率和高频率的射频应用,包括无线通信基站、雷达系统、测试和测量设备、工业加热设备以及广播发射机。该晶体管特别适用于 L 波段和 S 波段的射频功率放大器设计,能够满足现代通信系统对高效率和高线性度的要求。

替代型号

MRF6VP2300H, MW6001N

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MWI300-17E9参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置三相
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,300A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)33nF @ 25V
  • 功率 - 最大2200W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E+
  • 供应商设备封装E+