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JANTXV2N7227 发布时间 时间:2025/12/26 21:05:48 查看 阅读:10

JANTXV2N7227是一款符合JAN(Joint Army-Navy)规格的高可靠性硅双极结型晶体管(BJT),属于2N7227系列的军用级版本。该器件按照美国军用标准MIL-PRF-19500制造,适用于在极端环境条件下要求高稳定性和长寿命的应用场合。JANTXV等级代表其具有经过严格筛选和测试的工艺流程,确保器件在高温、低温、振动、辐射等恶劣条件下仍能保持优异性能。2N7227本身是一种PNP型晶体管,通常用于功率放大或开关应用,具备较高的击穿电压和良好的热稳定性。该器件封装在金属密封的TO-39或类似气密性封装中,以增强其抗环境应力的能力,适合航空航天、国防系统、卫星通信、深空探测以及高可靠性工业设备中的关键电路设计。由于其军规认证和全面的批次可追溯性,JANTXV2N7227常被用于需要长期服役且不允许失效的系统中。

参数

类型:PNP
  最大集电极-发射极电压(VCEO):100V
  最大集电极电流(IC):200mA
  最大功耗(PD):1.5W
  直流电流增益(hFE):40 - 150(典型值,测试条件IC = 10mA)
  过渡频率(fT):50MHz
  工作结温范围(Tj):-65°C 至 +200°C
  封装形式:TO-39 或金属密封圆形封装
  可靠性等级:JANTXV
  符合标准:MIL-PRF-19500/212
  极性:PNP

特性

JANTXV2N7227的核心优势在于其卓越的可靠性和环境适应能力。作为JANTXV级别的器件,它经历了严格的军用筛选程序,包括温度循环、恒定加速寿命试验(HALT)、内部水汽含量测试、键合强度测试、粒子碰撞噪声检测(PIND)以及100%的电气参数测试,确保每一颗晶体管都达到最高质量标准。这种级别的筛选显著降低了早期失效的风险,并提升了器件在整个生命周期内的稳定性。
  该晶体管采用高纯度硅材料与成熟的双极工艺制造,具备良好的载流子迁移特性和低漏电流表现。其PNP结构设计使其在负电压驱动或高端开关配置中表现出色,尤其适用于模拟信号放大器、射频前置放大级、稳压电源反馈控制环路以及精密开关电路。由于其高达200°C的最大结温,JANTXV2N7227可在高温环境中长时间运行而不发生性能退化,这使其成为喷气发动机控制系统、井下探测仪器和航天器电子模块的理想选择。
  此外,金属密封封装不仅提供了优异的热传导性能,还有效防止湿气、腐蚀性气体和其他污染物侵入芯片表面,从而避免因封装老化导致的参数漂移或短路故障。器件的引脚布局符合标准TO-39规范,便于手工焊接或自动化装配,同时支持波峰焊和回流焊工艺。所有生产批次均具备完整的可追溯性文档,满足AS9100和MIL-STD-883质量管理体系要求。这些特性共同构成了JANTXV2N7227在极端应用场景下的核心竞争力。

应用

JANTXV2N7227广泛应用于对元器件可靠性要求极高的军事与航天电子系统中。典型用途包括飞行控制系统中的传感器信号调理电路、雷达系统的前置放大模块、导弹制导单元中的电源管理电路以及卫星姿态控制系统的模拟接口部分。由于其具备出色的温度适应性和长期稳定性,该器件也常用于深空探测任务中的数据采集前端,能够在剧烈温变和强辐射环境下持续工作多年而无需更换。
  在地面防御系统中,JANTXV2N7227可用于战术通信设备的音频放大级或射频调制解调电路,确保在复杂电磁干扰条件下仍能维持清晰信号传输。此外,在核反应堆监测系统、高能物理实验装置以及潜艇声呐系统中,该晶体管也被用作关键的模拟开关或缓冲放大器,发挥其低噪声、高增益和抗干扰能力强的优势。
  工业领域方面,JANTXV2N7227适用于石油天然气勘探中的高温测井仪、电力系统的继电保护装置以及铁路信号控制系统等需要长期免维护运行的设备。由于其符合军用标准并具备完整的质量认证文件,许多高端医疗设备制造商也会选用此类器件用于生命支持系统或放射治疗设备的关键子系统中,以满足FDA和IEC 60601等安全规范的要求。

替代型号

JANTX2N7227
  MIL-PRF-19500/212PX

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JANTXV2N7227参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Military, MIL-PRF-19500/592
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)400 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)415 毫欧 @ 14A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)110 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4W(Ta),150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-254AA
  • 封装/外壳TO-254-3,TO-254AA(直引线)