类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：200V
　　漏极-栅极电压(Vdg)：200V
　　源极-栅极电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：15A
　　功耗(Pd)：150W
　　导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

S17232 作为一款高性能的功率MOSFET，具有以下几个显著的特性。首先，其漏极-源极电压最大可达200V，能够在高电压环境下稳定工作，适用于多种电源转换系统。其次，漏极电流最大为15A，使其适用于高功率负载应用，如电动机控制和电子负载开关。此外，S17232 的导通电阻仅为0.15Ω，有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。同时，其TO-220封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功耗条件下也能保持稳定运行。
　　在保护性能方面，S17232 内部结构具备良好的抗静电和过热保护能力，能够适应复杂的工作环境。其栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。该器件的快速开关特性也使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用场合。

S17232 由于其高电压和高电流能力，被广泛应用于多个领域。常见的应用包括工业自动化控制系统中的电机驱动模块、直流电源转换器（如Buck和Boost变换器）、电子负载开关以及高功率LED照明驱动电路。此外，该MOSFET也常用于电池管理系统（BMS）中，用于控制电池充放电过程。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，S17232 可用于高效能功率转换电路，提高能源利用效率。其优异的导通特性和封装散热设计，也使其成为高频开关电源的理想选择。

IXTP14N20X、IRFZ44N、FDPF14N20、STP15NF20