时间：2025/9/2 14:49:30
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JANTX2N1156是一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高功率开关和放大器电路中。这款晶体管具备较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适用于需要高可靠性和高性能的工业和军事级应用。该器件采用TO-3金属封装，具有良好的散热性能，适用于高频和高功率环境。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：5A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.15Ω（典型值）
功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-3金属封装
JANTX2N1156具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特性，能够在高频率下稳定工作。其TO-3封装形式有助于有效散热，适用于高温环境。此外，该器件具有良好的开关特性，适合用于高速开关电路。其高可靠性使其适用于军事和航空航天等严苛应用环境。
JANTX2N1156的栅极驱动要求较低，能够在较低的栅源电压下实现快速导通和关断，从而减少开关损耗。其热稳定性良好，能够在高负载条件下维持稳定性能。该晶体管还具备较强的抗过载能力，可在短时间高电流冲击下保持正常工作。
JANTX2N1156常用于电源转换器、DC-DC变换器、功率放大器、开关电源、电机驱动电路以及军事和航空航天电子系统中的高可靠性功率控制应用。由于其优良的热稳定性和耐久性，也适合用于高要求的工业自动化设备和测试仪器。
IXTP5N100、IRF540、2N6764、FDPF5N150、STP5NK60Z
