类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：16A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω @ VGS=10V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V @ ID=250μA
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB、TO-202AB

JAN2N5541 MOSFET具有多项优异的电气和热性能，适合高功率密度和高效率应用。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，同时减少散热需求，从而缩小PCB尺寸。该器件的快速开关特性使其适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关和负载管理等高频应用。此外，JAN2N5541采用了先进的平面技术，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。其栅极氧化层设计具有高耐用性，能够承受较高的栅源电压应力，增强器件的抗干扰能力。器件的工作温度范围宽广，从-55°C到+175°C，适合在极端环境条件下使用，如工业控制系统和汽车电子设备。JAN2N5541的封装形式（如TO-220AB）便于安装和散热，适用于各种高功率应用。
　　在电气特性方面，JAN2N5541的最大漏源电压为100V，最大漏极电流可达16A，适用于大多数中高功率电源转换器。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，适合多种驱动电路配置，包括微控制器或专用MOSFET驱动器。该器件的静态和动态损耗均较低，有助于提升整体系统能效，减少发热并提高可靠性。同时，其具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了在瞬态条件下的稳定性和安全性。

JAN2N5541 MOSFET广泛应用于多种电源管理领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、LED驱动器以及工业自动化控制系统。其高效率和快速开关特性也使其成为光伏逆变器、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）电路的理想选择。此外，由于其良好的热稳定性和高耐压能力，JAN2N5541也常用于汽车电子系统、电动工具、智能电表和家用电器等需要高可靠性的场合。

IRFZ44N, FQP16N10, STP16NF10, 2N6782, FDPF16N10