时间：2025/5/26 19:07:10
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LBSS84WT1G是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低能量损耗，提升系统性能。
该MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于中低电压场景，支持快速开关操作，同时具备出色的热稳定性和可靠性，适合多种工业及消费类电子应用。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=17ns, toff=13ns
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 低导通电阻设计，有效减少传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，确保在高频应用场景下的卓越表现。
3. 强大的抗浪涌电流能力，可承受瞬时大电流冲击。
4. 内置ESD保护电路，提升器件的鲁棒性与稳定性。
5. 小型化封装，便于PCB布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电动工具、家用电器等产品的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电路径管理。
6. 汽车电子中的辅助动力单元控制。
IRFZ44N
FDP5500
STP30NF06L
