SKIIP613GD121-3DUL 是由赛米控(SEMIKRON)生产的一款高性能双管IGBT模块,广泛用于高功率应用,如工业电机驱动、逆变器和电动汽车控制系统等。该模块集成了两个IGBT器件和对应的反并联二极管,具备高可靠性和优异的热性能。
模块类型:双管IGBT模块
最大集电极电流(IC):13A
最大阻断电压(VCES):1200V
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:DIP(双列直插式封装)
短路耐受能力:支持
栅极驱动电压范围:±20V
SKIIP613GD121-3DUL 采用先进的IGBT芯片技术,具有较低的导通压降和开关损耗,有助于提高系统效率并降低温升。其内部结构优化设计,增强了模块的热传导性能,延长了使用寿命。模块还具备良好的抗电磁干扰能力,适用于复杂电磁环境的应用场景。此外,该模块设计有集成保护功能,能够有效防止过流、短路和过热等异常情况造成的损坏。
在机械结构方面,该模块采用坚固的塑料外壳封装,提供良好的绝缘性能和机械稳定性。其引脚设计符合工业标准,便于安装和维护。模块还支持快速更换,适用于需要高可用性和易于维护的设备系统。
该模块广泛应用于各种高功率电子设备中,包括工业变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)、新能源汽车电驱系统及充电设备、可再生能源系统(如太阳能逆变器)等。其高可靠性和优异性能也使其适用于严苛工况下的电力电子系统,例如电动汽车、智能电网和工业自动化控制设备。
SKM100GB12T4, FSBB20CH60CT, IRAM10UP60B