类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：8.0 A
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 0.35 Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：60 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

JAN2N5108 具备多项优异的电气性能和热稳定性。首先，其低导通电阻 RDS(on) 使得在导通状态下功率损耗大大降低，从而提高整体效率。这对于开关电源、DC-DC 转换器等高效率要求的应用尤为重要。其次，该器件的最大漏源电压为 100V，可适用于多种中高电压应用场景，如电机控制、电源转换和工业自动化设备。
　　此外，JAN2N5108 支持高达 ±20V 的栅源电压，这意味着其在驱动过程中具有较好的抗干扰能力和稳定性，适合在复杂电磁环境中使用。其 TO-220 封装形式不仅具备良好的散热性能，还便于在 PCB 上安装和使用。
　　该 MOSFET 的最大漏极电流为 8A，在连续工作条件下仍能保持稳定运行，适合用于中等功率的开关控制和负载管理。其功率耗散能力达到 60W，能够在较高温度环境下保持良好性能。工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，使其适用于多种严苛环境下的工业和汽车应用。
　　JAN2N5108 的制造符合 MIL-PRF-19500 和 JAN 标准，适用于对可靠性要求较高的军事和航空航天领域。其封装和内部结构设计均经过优化，以确保在高温、高湿、振动等极端条件下的稳定运行。

JAN2N5108 被广泛应用于多个功率电子领域。在电源管理系统中，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关控制。其高效率和低损耗特性使其成为高效能电源模块的理想选择。在电机控制和驱动电路中，JAN2N5108 可用于 H 桥结构中的高侧和低侧开关，实现直流电机或步进电机的正反转控制。
　　在工业自动化设备中，该器件可用于 PLC（可编程逻辑控制器）中的输出开关模块、继电器替代方案和传感器供电控制。由于其具备较高的温度耐受能力，因此在高温环境下的设备中也有广泛应用。
　　在汽车电子系统中，JAN2N5108 常用于电池管理系统（BMS）、车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车灯控制系统。由于其符合 MIL-STD 和 JAN 标准，特别适用于军事车辆、航空航天设备等高可靠性要求的场合。
　　此外，JAN2N5108 还可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统、LED 驱动电路以及各类开关电源（SMPS）中，作为主功率开关或同步整流元件。

IRF540N, FDPF5N100, STP8NM50N, 2SK2647