时间：2025/7/11 17:17:52
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IRF7495TRPBF 是一款 N 没有导通沟道场效应晶体管（MOSFET），采用 P-TO-263AB 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关应用和功率转换电路。
其主要设计目标是为工业、通信及消费类电子提供高效能的功率管理解决方案。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：180A
导通电阻：1.3mΩ
总栅极电荷：110nC
输入电容：4220pF
输出电容：1270pF
反向传输电容：160pF
功耗：100W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IRF7495TRPBF 具备卓越的电气性能和可靠性。它采用了先进的半导体制造工艺，确保了低导通电阻和高效的热传导能力。这种 MOSFET 的高电流承载能力和快速开关特性使其非常适合用于大功率 DC-DC 转换器、逆变器以及电机驱动等应用场景。
此外，该器件还具备出色的热稳定性和抗静电能力，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。同时，其封装设计优化了散热性能，有助于提高整体系统的效率和稳定性。
IRF7495TRPBF 广泛应用于多种功率电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 逆变器和 UPS 系统
3. 电动汽车牵引逆变器
4. 工业电机驱动
5. 大功率电源供应
6. 可再生能源系统中的功率调节模块
7. 高频开关电源
该器件凭借其强大的电流处理能力和快速的开关速度，能够满足上述应用对功率密度和效率的严格要求。
IRFH7495TRPBF
