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IRF7495TRPBF 发布时间 时间:2025/7/11 17:17:52 查看 阅读:18

IRF7495TRPBF 是一款 N 没有导通沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 P-TO-263AB 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于高频开关应用和功率转换电路。
  其主要设计目标是为工业、通信及消费类电子提供高效能的功率管理解决方案。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:180A
  导通电阻:1.3mΩ
  总栅极电荷:110nC
  输入电容:4220pF
  输出电容:1270pF
  反向传输电容:160pF
  功耗:100W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

IRF7495TRPBF 具备卓越的电气性能和可靠性。它采用了先进的半导体制造工艺,确保了低导通电阻和高效的热传导能力。这种 MOSFET 的高电流承载能力和快速开关特性使其非常适合用于大功率 DC-DC 转换器、逆变器以及电机驱动等应用场景。
  此外,该器件还具备出色的热稳定性和抗静电能力,能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。同时,其封装设计优化了散热性能,有助于提高整体系统的效率和稳定性。

应用

IRF7495TRPBF 广泛应用于多种功率电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 高效 DC-DC 转换器
  2. 逆变器和 UPS 系统
  3. 电动汽车牵引逆变器
  4. 工业电机驱动
  5. 大功率电源供应
  6. 可再生能源系统中的功率调节模块
  7. 高频开关电源
  该器件凭借其强大的电流处理能力和快速的开关速度,能够满足上述应用对功率密度和效率的严格要求。

替代型号

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IRF7495TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 4.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs51nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1530pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7495PBFTRIRF7495TRPBF-NDIRF7495TRPBFTRIRF7495TRPBFTR-ND