W134MH 时间：2025/11/4 5:10:13 阅读：9

W134MH是一款由无锡华润微电子有限公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关模式电源等高效率转换场景中。该器件基于先进的沟槽栅极技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业控制、消费电子及通信设备等多种领域。W134MH采用TO-252（D-Pak）封装形式，具备良好的散热性能和机械强度，便于在PCB上进行表面贴装，提升了自动化生产效率。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。其设计优化了栅极电荷与导通损耗之间的平衡，使得在高频开关应用中能够实现更低的能量损耗和更高的系统效率。由于其出色的电气特性和可靠性，W134MH已成为中小功率电源系统中的主流选择之一。

参数

型号：W134MH
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：90A
　　导通电阻Rds(on)（典型值）：4.5mΩ @ Vgs=10V, Id=30A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：约2800pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：约1100pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　反向恢复时间（trr）：约25ns
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)

特性

W134MH的核心优势在于其极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下典型值仅为4.5mΩ，这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，从而提高了整个系统的能效表现。这对于大电流应用场景尤为重要，例如DC-DC转换器、同步整流电路以及电池管理系统中，低Rds(on)意味着更少的热量产生和更高的能量利用率。同时，该MOSFET采用了优化的沟槽栅结构设计，在保证低导通电阻的同时有效控制了栅极电荷Qg，使得开关过程更加迅速且动态损耗更小。这种设计特别适合用于高频开关电源拓扑结构，如Buck、Boost和半桥变换器，有助于提升开关频率并减小外围滤波元件的体积。
　　另一个关键特性是其优异的热性能。TO-252封装不仅提供了足够的电流承载能力，还通过底部金属焊盘实现了高效的热传导路径，可将芯片产生的热量快速传递至PCB上的散热区域或外接散热片，从而维持较低的工作结温。即使在持续高负载运行下，也能确保长期工作的可靠性和寿命。此外，W134MH具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态过压或短路情况下提供一定程度的自我保护，增强了系统整体的安全性。
　　该器件的栅极驱动要求相对温和，阈值电压范围为1.0V至2.5V，兼容常见的逻辑电平信号驱动，适用于微控制器直接驱动或搭配专用驱动IC使用。同时，其输入电容和米勒电容较小，减少了驱动电路所需的瞬时电流，进一步降低驱动损耗。综合来看，W134MH凭借其高性能参数与稳健的设计，成为众多中低电压、大电流开关应用的理想选择。

应用

W134MH主要应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。在电源管理领域，它常被用作同步整流MOSFET，尤其是在低压大电流输出的开关电源（SMPS）和DC-DC降压变换器中，利用其低导通电阻特性来替代传统二极管整流，大幅提升转换效率。在便携式设备如笔记本电脑、平板电源适配器以及USB PD充电器中，该器件能够支持高电流输出需求，并有效控制温升。
　　在电机驱动方面，W134MH可用于H桥或半桥拓扑结构中的功率开关元件，适用于直流无刷电机、步进电机及小型伺服系统的驱动模块。其快速开关响应和低损耗特性有助于提高电机控制精度和动态响应速度，同时减少发热问题。
　　此外，该MOSFET也广泛应用于电池保护电路、LED恒流驱动电源、逆变器以及UPS不间断电源系统中。在这些场合中，W134MH不仅承担主功率通断功能，还可作为过流保护和短路隔离的关键组件。其高可靠性和稳定的电气性能使其在工业自动化设备、通信基站电源模块以及新能源储能系统中同样具有广泛应用前景。