您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > J201

J201 发布时间 时间:2023/3/13 15:09:56 查看 阅读:504

    类别:分离式半导体产品

    家庭:JFET(结点场效应

    系列:-

  

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:JFET(结点场效应

    系列:-

    电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):200?A @ 20V

    漏极至源极电压(Vdss):-

    漏极电流 (Id) - 最大:-

    FET 型:N 沟道

    电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V

    电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:300mV @ 10nA

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :-

    电阻 - RDS(开):-

    安装类型:通孔

    包装:散装

    封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226

    功率 - 最大:625mW

    供应商设备封装:*


资料

厂商
VISHAY

J201推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

J201资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • J201
  • N-Channel JFET General Purpose Ampli...
  • CALOGIC
  • 阅览
  • J201
  • N-Channel General Purpose Amplifier
  • FAIRCHILD
  • 阅览

J201参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)200µA @ 20V
  • 漏极至源极电压(Vdss)-
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)40V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id300mV @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 电阻 - RDS(开)-
  • 安装类型通孔
  • 包装散装
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 功率 - 最大625mW