FQD3N50C_07 时间：2025/8/24 22:04:58 阅读：6

FQD3N50C_07 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压、中高功率的开关应用。该器件采用先进的平面条形FET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于电源转换、马达控制、负载开关等多种电子系统。该MOSFET的额定电压为500V，最大漏极电流为3A，适用于高效能、小尺寸的电路设计。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　连续漏极电流(Id)：3A
　　导通电阻(Rds(on))：2.5Ω（最大）
　　栅极阈值电压(Vgs(th)：2V~4V
　　输入电容(Ciss)：570pF
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

FQD3N50C_07 MOSFET具有多项优良特性，使其在多种功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为2.5Ω，能够在高电压条件下提供较低的导通损耗，有助于提高整体系统效率。此外，该器件的栅极阈值电压在2V至4V之间，适合多种驱动电路配置，确保稳定的开关性能。
　　其输入电容（Ciss）为570pF，使得MOSFET的开关速度较快，从而减少了开关损耗，适用于高频操作场景。该器件的封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的热管理和散热性能，适用于紧凑型设计以及需要良好散热能力的电路布局。
　　该MOSFET具备良好的耐用性和稳定性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和消费级电子设备。同时，其高漏源电压额定值（500V）使其适用于高压电源转换和隔离式电源设计。

应用

FQD3N50C_07 MOSFET广泛应用于多种电力电子领域，包括AC-DC电源转换器、DC-DC转换器、反激式和正激式开关电源、LED照明驱动电路、马达控制模块以及智能电表等设备。在电源适配器和充电器中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效的能量转换。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，该器件也适用于需要高可靠性的工业控制系统和家电产品中的负载开关和继电器替代方案。
　　此外，该MOSFET还可用于隔离式电源拓扑结构中，如Flyback和Forward转换器，满足中低功率级别的隔离电源需求。在LED照明应用中，它可用于恒流驱动电路，确保LED灯的稳定亮度和长寿命。凭借其优异的开关性能和耐久性，FQD3N50C_07在多个行业和应用中均表现出良好的性能和可靠性。