IXYN82N120C3H1 是一款由 IXYS 公司制造的高功率、高压双极型晶体管(BJT),适用于高电压和高电流的应用。这款晶体管采用了先进的制造工艺,具备出色的稳定性和耐用性,广泛应用于电力电子设备、工业控制和电机驱动系统等领域。
类型:双极型晶体管(BJT)
集电极-发射极电压(VCE):1200V
最大集电极电流(IC):82A
最大功耗(PD):300W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-247
增益(hFE):在IC=2A时为20-80
频率响应:最高可达1MHz
IXYN82N120C3H1 的设计使其在高压和高电流条件下表现出色。其高耐压能力(1200V VCE)使其适用于需要高电压隔离的电路设计,而82A的最大集电极电流则确保了其在高功率负载下的稳定性。此外,该晶体管具有较高的功耗能力(300W),可以在较恶劣的工作环境下保持良好的性能。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片或冷却系统中。
该晶体管的工作温度范围从-55°C到+150°C,使其能够在极端环境条件下稳定运行。频率响应高达1MHz,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、逆变器和电机控制器。此外,其hFE(电流增益)在IC=2A时为20-80,表明其具有良好的电流放大能力,适合用于需要高效功率放大的电路设计。
该晶体管还具有较低的导通压降(VCE_sat),这有助于降低能量损耗,提高整体系统的效率。同时,其短路保护能力也使其在工业控制和电源系统中表现出色。
IXYN82N120C3H1 主要应用于高功率和高电压场景,包括但不限于工业电机驱动、电力电子变换器(如逆变器和整流器)、高频开关电源、电焊机、UPS(不间断电源)系统、电感负载控制(如电磁阀和继电器)等。此外,该晶体管也可用于音频功率放大器、高频振荡器和其他需要高压和高电流能力的电子系统。
IXYS IXGN82N120T1H1, STMicroelectronics STTH82N120, Infineon FF82N120