2EDN7524G 时间：2025/4/30 14:29:28 阅读：22

2EDN7524G 是一种 NPN 型高频小信号晶体管，广泛应用于无线通信、射频放大和高频开关电路中。该晶体管采用了先进的半导体制造工艺，具有低噪声、高增益和出色的高频性能，适用于需要高稳定性和可靠性的应用场合。
　　这种晶体管的封装形式通常为 SOT-363（SC-89），尺寸小巧，非常适合对空间有严格要求的设计环境。

参数

集电极-发射极电压：40V
　　集电极电流：100mA
　　功率耗散：150mW
　　频率响应：高达 6GHz
　　增益带宽积：4GHz
　　噪声系数：1.5dB
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

2EDN7524G 具备以下主要特性：
　　1. 高频率响应能力，能够支持高达 6GHz 的应用。
　　2. 低噪声设计，噪声系数仅为 1.5dB，适合用于高灵敏度的射频接收电路。
　　3. 高增益带宽积，达到 4GHz，确保在高频段下的稳定放大性能。
　　4. 小型化封装 SOT-363，节省了印刷电路板的空间。
　　5. 工作温度范围广，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境中正常运行，适应各种恶劣工况。
　　6. 稳定性好，即使在高频条件下也具备良好的线性表现。

应用

2EDN7524G 广泛应用于以下领域：
　　1. 射频和无线通信设备中的低噪声放大器 (LNA)。
　　2. 蓝牙、Wi-Fi 和 Zigbee 等短距离无线模块的前端放大。
　　3. 高频振荡器和混频器电路。
　　4. 高速开关电路中的驱动元件。
　　5. 移动设备和物联网 (IoT) 设备中的高频信号处理。
　　6. 测试与测量仪器中的高频信号放大和调理电路。