2EDN7524G 是一种 NPN 型高频小信号晶体管,广泛应用于无线通信、射频放大和高频开关电路中。该晶体管采用了先进的半导体制造工艺,具有低噪声、高增益和出色的高频性能,适用于需要高稳定性和可靠性的应用场合。
这种晶体管的封装形式通常为 SOT-363(SC-89),尺寸小巧,非常适合对空间有严格要求的设计环境。
集电极-发射极电压:40V
集电极电流:100mA
功率耗散:150mW
频率响应:高达 6GHz
增益带宽积:4GHz
噪声系数:1.5dB
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
2EDN7524G 具备以下主要特性:
1. 高频率响应能力,能够支持高达 6GHz 的应用。
2. 低噪声设计,噪声系数仅为 1.5dB,适合用于高灵敏度的射频接收电路。
3. 高增益带宽积,达到 4GHz,确保在高频段下的稳定放大性能。
4. 小型化封装 SOT-363,节省了印刷电路板的空间。
5. 工作温度范围广,能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境中正常运行,适应各种恶劣工况。
6. 稳定性好,即使在高频条件下也具备良好的线性表现。
2EDN7524G 广泛应用于以下领域:
1. 射频和无线通信设备中的低噪声放大器 (LNA)。
2. 蓝牙、Wi-Fi 和 Zigbee 等短距离无线模块的前端放大。
3. 高频振荡器和混频器电路。
4. 高速开关电路中的驱动元件。
5. 移动设备和物联网 (IoT) 设备中的高频信号处理。
6. 测试与测量仪器中的高频信号放大和调理电路。
2SC3358, BFR96, MMBT6044