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SC100020CFU 发布时间 时间:2025/9/2 12:55:43 查看 阅读:11

SC100020CFU 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于高性能功率开关器件。该器件主要用于高频率、高效率的电源转换应用,如DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及电源管理模块等。SC100020CFU 具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和优异的热稳定性,使其在高功率密度和小型化设计中具有广泛应用。该MOSFET采用先进的封装技术,有助于提高散热效率并增强器件的可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):约7.5mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):约40nC
  最大工作温度:175°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

SC100020CFU 的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高整体电源转换效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力,能够在高负载条件下稳定运行。其先进的封装设计(PowerFLAT 5x6)不仅提供了良好的散热性能,还具备较小的体积,适用于空间受限的设计。该MOSFET在高温环境下依然能够保持优异的性能,确保长期运行的可靠性。
  SC100020CFU 还具备快速开关特性,栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,使其适用于高频开关应用。此外,该器件具有良好的短路耐受能力,可以在极端工况下提供额外的保护。其栅极驱动电压范围较宽,通常可在4.5V至20V之间工作,使其兼容多种驱动电路设计。
  从热管理角度来看,SC100020CFU 采用了优化的芯片设计和封装结构,能够有效降低热阻,提高散热效率。这种设计不仅延长了器件的使用寿命,还提升了系统的整体稳定性。在电源管理系统中,该MOSFET可以有效减少能量损耗,提升能效比,满足高能效标准。

应用

SC100020CFU 主要应用于需要高效率、高功率密度和小型化设计的电子系统中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、工业电源、服务器电源和消费类电子产品中的电源管理模块。该器件在汽车电子系统中也有广泛应用,例如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块等。此外,在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和储能系统中,SC100020CFU 也可作为关键的功率开关元件。

替代型号

STP20NK10Z, FDP10N20, IPB10N20C3

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