类型：功率MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：1200V
　　最大漏极电流(Id)：110A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为10.5mΩ
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至175°C

IXYK110N120C4具有多个显著特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频应用尤为重要。
　　此外，IXYK110N120C4具备出色的热性能，能够在高温环境下稳定工作。其高耐压能力（1200V）和大电流承载能力（110A）使其适用于高功率密度设计。该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下的可靠性。
　　在可靠性方面，IXYK110N120C4通过了严格的工业标准测试，具备优异的抗冲击和抗振动能力。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在极端环境条件下正常运行，适用于各种苛刻的应用场景。

IXYK110N120C4广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。常见的应用包括工业电源、电机驱动器、逆变器以及电动汽车充电系统。其高耐压和大电流能力使其在太阳能逆变器和储能系统中也非常受欢迎。
　　在工业自动化领域，该器件用于高性能变频器和伺服驱动器，以提供稳定的电力转换和控制。在汽车电子系统中，IXYK110N120C4可用于电动汽车的电池管理系统和充电器，确保高效的能量转换和安全运行。
　　此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）系统和储能系统，提供高效的电能转换和管理。其优异的热性能和可靠性确保了在高负载条件下的稳定运行，适用于数据中心、工厂自动化和可再生能源系统等关键应用。

IXGN110N120T, FGL110N120D, FGH110N120SMD