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AO4612 发布时间 时间:2025/5/29 18:26:17 查看 阅读:10

AO4612是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN3030-8L封装,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于空间受限的应用场合。其典型应用包括负载开关、DC/DC转换器、同步整流、电池保护电路以及便携式电子设备中的电源管理。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:2.9A
  导通电阻(Rds(on)):7mΩ @ Vgs=4.5V
  栅极电荷:1.6nC
  输入电容:160pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AO4612具备极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提升效率。
  它采用紧凑型DFN3030-8L封装,适合高密度PCB设计。
  具有出色的热稳定性和可靠性,可承受高达150℃的工作环境。
  快速开关能力使其适用于高频开关应用,减少开关损耗。
  低栅极电荷和输入电容,能够提高驱动效率并简化电路设计。

应用

AO4612广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制领域。例如:
  在笔记本电脑和平板电脑中用作负载开关或电源管理组件。
  在移动电源和充电器中实现高效的同步整流。
  作为DC/DC转换器中的功率开关,以提供稳定的电压输出。
  在LED驱动器和电机驱动电路中也有出色表现。

替代型号

AOZ4612AQ, IRF7828, FDS6680

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AO4612参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A,3.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C56 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds540pF @ 30V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1041-6