时间：2025/9/14 17:43:21
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BUK9219-55A,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术制造，具有低导通电阻、高电流容量和良好的热性能。其封装形式为 TO-220，便于散热并适用于多种工业标准电路设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（Id）：80 A
最大漏源电压（Vds）：55 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：4.2 mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：160 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK9219-55A,118 具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗并提高了效率。其高电流容量和优良的热稳定性使其适用于高功率密度设计。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽泛，支持常见的 10V 和 12V 驱动电压，同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力。
此外，其封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能和机械强度，适合用于工业电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。
器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于无铅焊接工艺。
BUK9219-55A,118 广泛应用于各类电力电子系统中，包括但不限于：同步整流器、DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及电源模块等。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合用于需要高效能和高可靠性的设计中。
在汽车电子领域，该器件也可用于车载充电系统、车身控制模块和电动工具等应用场景。
IRF1405, STD80N3LLH6AG, BSC090N03LSG
