时间：2025/8/6 12:07:55
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IXYH40N65C3是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件基于CoolMOS?技术，具有高击穿电压和低导通电阻的特点，适用于需要高效率和高性能的电源应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
漏极电流（ID）：40A（在TC=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.065Ω
栅极电荷（Qg）：130nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXYH40N65C3采用了英飞凌先进的CoolMOS?技术，使其在高电压应用中表现出色。该器件具有较低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，其高电流容量和优异的热性能使其能够在高负载条件下稳定运行。
该MOSFET的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率。其高可靠性和长寿命使其适用于各种苛刻的工业环境。此外，IXYH40N65C3还具有良好的短路耐受能力和过载保护功能，确保了在异常工作条件下的安全运行。
在封装方面，IXYH40N65C3采用TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，便于安装和使用。
IXYH40N65C3广泛应用于各种电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC转换器以及不间断电源（UPS）等。由于其高电压和高电流能力，该器件也适用于工业电机控制、照明系统和可再生能源系统（如太阳能逆变器）等应用领域。
IXFH40N65X2, IRGP4063, FCH47N60NF
