时间：2025/5/13 8:53:24
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IPD090N03LG是一款由Infineon（英飞凌）生产的高压MOSFET芯片，属于OptiMOS?系列。该芯片采用先进的技术制造，具有高效率、低导通电阻和出色的开关性能等特性，适用于多种电力电子应用领域。其封装形式为PG-TO263-3，适合表面贴装工艺，广泛应用于电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器以及其他高效能开关电路中。
这款MOSFET设计用于满足现代电子设备对能源效率的严格要求，同时具备较低的热阻以确保更高的可靠性和散热性能。
型号：IPD090N03LG
VDS(漏源电压)：30V
RDS(on)(导通电阻)：8.5mΩ
ID(连续漏极电流)：90A
Qg(总栅极电荷)：17nC
EAS(雪崩能量)：410mJ
fSW(开关频率)：高达1MHz
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：PG-TO263-3
IPD090N03LG具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，能够显著降低功率损耗。
2. 出色的开关性能，支持高频操作，有助于减小整体系统尺寸和成本。
3. 高度可靠的热性能，使器件在高温环境下仍能保持稳定运行。
4. 内置ESD保护功能，增强了芯片的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
6. 高雪崩能量耐受性，提高系统在异常情况下的稳定性。
IPD090N03LG适用于多种电力电子应用场景：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
2. DC-DC转换器，包括降压和升压拓扑结构。
3. 电机驱动控制电路。
4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源转换设备。
5. 各种工业及消费类电子产品的高效开关应用。
6. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
这些应用均得益于IPD090N03LG高效的功率处理能力和紧凑的设计特点。
IPB090N03L
IPP090N03L
IPW090N03L
