您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SGP100N08H

SGP100N08H 发布时间 时间:2025/5/20 19:58:16 查看 阅读:21

SGP100N08H是一款高压功率MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件适用于高电压应用场合,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的领域。其设计旨在提供高效率和低损耗的性能,同时具有良好的耐热性和稳定性。

参数

最大漏源电压:800V
  连续漏极电流:100mA
  栅极阈值电压:3V~6V
  导通电阻:750Ω
  功耗:0.4W
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

1. 高电压耐受能力,最大漏源电压达到800V,适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
  3. 小型TO-252封装,便于PCB布局和散热设计。
  4. 工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。
  5. 栅极驱动简单,兼容各种控制电路。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 能量转换系统中的DC-DC和DC-AC变换
  3. 电机驱动和控制
  4. 逆变器模块
  5. 家电及工业设备中的高压开关应用
  6. LED驱动电路中的开关元件

替代型号

IRF840, STP100NF08L

SGP100N08H推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价