SGP100N08H是一款高压功率MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件适用于高电压应用场合,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的领域。其设计旨在提供高效率和低损耗的性能,同时具有良好的耐热性和稳定性。
最大漏源电压:800V
连续漏极电流:100mA
栅极阈值电压:3V~6V
导通电阻:750Ω
功耗:0.4W
工作温度范围:-55℃~150℃
1. 高电压耐受能力,最大漏源电压达到800V,适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
3. 小型TO-252封装,便于PCB布局和散热设计。
4. 工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。
5. 栅极驱动简单,兼容各种控制电路。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
1. 开关电源(SMPS)
2. 能量转换系统中的DC-DC和DC-AC变换
3. 电机驱动和控制
4. 逆变器模块
5. 家电及工业设备中的高压开关应用
6. LED驱动电路中的开关元件
IRF840, STP100NF08L