时间：2025/4/29 17:10:46
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LMUN5113DW1T1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件，由 Texas Instruments（德州仪器）制造。该器件采用增强型 GaN 场效应晶体管技术，提供超低的导通电阻和快速开关性能，非常适合高频电源转换应用。它具有集成的栅极驱动保护功能，能够提高系统可靠性和简化设计流程。
LMUN5113DW1T1G 的封装形式为 QFN-8，具备高热效率和小尺寸特点，适合用于空间受限的应用场景。
型号：LMUN5113DW1T1G
类型：增强型 GaN FET
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：2.6 A
导通电阻（典型值）：160 mΩ
栅极电荷（Qg）：4.5 nC
输入电容（Ciss）：950 pF
输出电容（Coss）：75 pF
反向传输电容（Crss）：30 pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：QFN-8
LMUN5113DW1T1G 提供了出色的开关性能和效率表现，主要特性包括：
1. 高效的氮化镓技术，支持高频操作和更小的无源元件设计。
2. 超低导通电阻（Rds(on)），在大电流条件下显著降低功耗。
3. 快速开关能力，减少开关损耗并提升系统整体效率。
4. 内置保护机制，例如过温关断和静电放电保护，确保器件在恶劣环境下稳定运行。
5. 小型化的 QFN-8 封装，节省 PCB 空间。
6. 宽泛的工作温度范围，适用于各种工业和消费类环境。
LMUN5113DW1T1G 主要应用于需要高效率和高频工作的场景，具体应用包括：
1. 开关电源（SMPS），如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 消费电子设备中的充电器和适配器。
3. 工业级电源模块。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换部分。
5. LED 驱动电路和其他高频功率处理电路。
6. 数据中心服务器电源和其他对效率要求高的应用领域。
LMG3411R030 NexFET GaN 功率级、TPS25982D
