IXYH12N250C 时间：2025/8/5 16:37:45 阅读：24

IXYH12N250C是一款由英飞凌（Infineon）公司推出的高性能功率MOSFET器件，属于CoolMOS系列。该系列器件采用了先进的超结（Super Junction）技术，具有极低的导通电阻和开关损耗，适用于高效率、高频率的电源转换应用。IXYH12N250C特别适用于工业电源、服务器电源、电信电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等高功率密度要求的应用场景。

参数

类型：功率MOSFET
　　技术：CoolMOS（超结MOSFET）
　　漏源电压（Vds）：250V
　　连续漏极电流（Id）：12A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.36Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值为34nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：典型值为125W
　　漏极电容（Coss）：典型值为135pF
　　工作频率：支持高频开关操作

特性

IXYH12N250C的主要特性包括：采用先进的CoolMOS技术，提供极低的Rds(on)和开关损耗，显著提升电源转换效率；其超结结构优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和可靠性；该器件具有优异的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定工作；TO-247封装具备良好的散热性能，适用于高功率应用；此外，IXYH12N250C还具有低栅极电荷（Qg），有助于降低高频开关应用中的驱动损耗；该器件还具备较强的抗雪崩能力，增强了在高能脉冲环境下的耐用性；符合RoHS环保标准，适用于绿色电源设计。

应用

IXYH12N250C广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的电源系统，如工业开关电源（SMPS）、服务器和电信电源、LED照明驱动电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）以及电机驱动和功率因数校正（PFC）电路等。其高效率和高可靠性的特性使其成为现代电源设计中的理想选择。