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HSP061-4NY8 发布时间 时间:2025/6/4 9:50:56 查看 阅读:13

HSP061-4NY8是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  该型号为N沟道增强型MOSFET,其设计目标是满足对功耗和散热要求较高的应用需求。它在小型化封装中提供了强大的电气性能,适合需要高电流承载能力和快速动态响应的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:5.3A
  导通电阻:25mΩ
  栅极电荷:10nC
  输入电容:1200pF
  开关速度:100ns
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 极低的导通电阻使得传导损耗显著降低,从而提高整体效率。
  2. 快速的开关速度减少了开关损耗,非常适合高频应用。
  3. 高度优化的热阻确保了器件在高温环境下的稳定运行。
  4. 小型化的封装设计节省了PCB空间,便于实现紧凑型产品设计。
  5. 出色的雪崩能力增强了产品的耐用性和抗干扰能力。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,支持无铅焊接工艺。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心功率元件。
  3. 各类电机驱动电路中的驱动级元件。
  4. LED照明驱动中的功率控制元件。
  5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  6. 汽车电子系统中的电源管理模块。

替代型号

IRFZ44N, FQP50N06L, SI4870DY

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HSP061-4NY8参数

  • 其它有关文件HSP061-4NY8 View All Specifications
  • 特色产品HSP061-4NY8/-8M16 ESD Arrays
  • 标准包装1
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)3V
  • 电压 - 击穿6V
  • 功率(瓦特)-
  • 电极标记4 通道阵列 - 双向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-UFQFN
  • 供应商设备封装8-UQFN(2x1)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称497-10895-6