时间：2025/8/6 7:55:41
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IXXX200N65B4 是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高功率、高性能的N沟道功率MOSFET晶体管。该器件设计用于高电压、高电流应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，适用于电源转换、电机控制、工业自动化和电力电子设备等领域。IXXX200N65B4 采用了先进的CoolMOS?技术，使其在650V的漏源电压下仍能保持高效能运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：200A
导通电阻(Rds(on))：典型值为9.5mΩ
功率耗散(Pd)：340W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
IXXX200N65B4 的主要特性之一是其采用了英飞凌先进的CoolMOS?技术，这种技术显著降低了导通电阻并提高了器件的开关性能，从而减少了能量损耗并提高了整体系统效率。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，使其在高温环境下仍能稳定工作。
该器件的低Rds(on)值（典型值为9.5mΩ）使其在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，提高了系统的能效。同时，IXXX200N65B4 的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，有助于降低器件的工作温度，延长使用寿命。
在安全性和可靠性方面，IXXX200N65B4 设计有较强的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行。此外，其高dv/dt抗扰能力有助于减少开关过程中的电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性和抗干扰能力。
IXXX200N65B4 主要应用于高功率电源系统中，如不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业电机驱动器、电动汽车充电设备、电能质量调节装置以及高频开关电源等。由于其高效的导通和开关性能，非常适合用于需要高能效和高可靠性的场合。
在太阳能逆变器中，IXXX200N65B4 可作为主开关器件，用于将直流电转换为交流电，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高逆变器的整体效率。在工业电机控制中，该MOSFET可用于构建高效能的H桥驱动电路，实现对电机的精确控制。
此外，该器件还可用于高功率DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及电力电子负载控制电路中，提供稳定、高效的功率开关解决方案。
IXFH200N65B3, IRFP4868PBF, SPW47N60CFD7, FCH200N65F3
