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104MT160KB 发布时间 时间:2025/6/5 21:38:24 查看 阅读:22

104MT160KB 是一款铁电随机存取存储器(FRAM),由 Ramtron(现已被 Cypress 收购)生产。该芯片采用非易失性存储技术,能够在断电后保存数据,并具备快速写入和高耐用性的特点。
  FRAM 结合了 RAM 的速度和闪存的非易失性,使其在工业、汽车和消费类应用中非常受欢迎。

参数

容量:16Mb
  接口类型:SPI
  工作电压(Vcc):1.7V 至 3.6V
  数据保留时间:超过10年
  擦写周期:10^12次
  封装形式:TSSOP-8, SOIC-8
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C (商业级),-40°C 至 +125°C (工业级)
  引脚数:8

特性

104MT160KB 具备以下主要特性:
  1. 非易失性存储:无需电池即可保存数据。
  2. 高速写入能力:比传统 EEPROM 和闪存快得多。
  3. 耐用性强:支持高达 10^12 次擦写循环,适用于频繁写入场景。
  4. 低功耗运行:具有较低的待机和工作电流。
  5. 宽工作电压范围:允许在 1.7V 至 3.6V 下操作,适应多种供电条件。
  6. 高可靠性:设计用于恶劣环境,具有宽温范围选项。
  7. 简化系统设计:由于其高速特性和无需刷新机制,可以减少外围元件的数量。

应用

104MT160KB 广泛应用于以下领域:
  1. 工业控制:实时数据记录与配置存储。
  2. 汽车电子:事件数据记录和校准参数保存。
  3. 医疗设备:患者监测数据存储。
  4. 计量仪表:累积使用量和状态信息保存。
  5. 物联网(IoT)设备:传感器数据日志记录。
  6. 数据记录仪:快速捕捉瞬态数据。
  7. 安全系统:监控视频片段和报警历史存储。

替代型号

CY15B104Q, MB85RC16MT

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104MT160KB参数

  • 标准包装3
  • 类别半导体模块
  • 家庭桥式整流器
  • 系列-
  • 电压 - 峰值反向(最大)1600V
  • 电流 - DC 正向(If)100A
  • 二极管类型三相
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳INT-A-PAK(6 + 6)
  • 包装散装
  • 供应商设备封装-
  • 其它名称*104MT160KB