时间：2025/8/6 7:25:21
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IXXX100N60C3H1 是英飞凌（Infineon）生产的一款高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流应用，如电源转换器、电机驱动、UPS系统和工业自动化设备。该器件基于英飞凌的CoolMOS? C3技术，具备高效能、低导通电阻以及良好的热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）@25°C：100A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为7.5mΩ（具体取决于封装）
栅极电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247、TO-220、PG-TO220-3-11等
功率耗散（Ptot）：300W以上（取决于封装和散热条件）
IXXX100N60C3H1 采用英飞凌先进的CoolMOS? C3技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗，从而提高了整体能效。该MOSFET具备出色的热管理性能，能够在高负载条件下保持稳定工作。
此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率，适用于高频电源转换器设计。其高耐压能力（600V）使其适用于各种高压应用，例如工业电源、不间断电源（UPS）、电机控制和照明系统。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力和过温保护性能，增强了系统可靠性。其封装设计支持高效的散热管理，适用于需要长时间高负载运行的工业和自动化设备。
在实际应用中，IXXX100N60C3H1 能够显著提高电源转换效率，减少热量产生，并有助于缩小电路板尺寸，适用于高功率密度设计。
IXXX100N60C3H1 广泛应用于各种高功率电子系统，包括工业电源、电机驱动器、不间断电源（UPS）、逆变器、充电器、LED照明系统、太阳能逆变器和自动化控制系统。其高效能和高可靠性使其成为高性能电源转换解决方案的首选器件。
IPW60R070C7, SPW60R070C6, IKAU100N60T
