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IXXX100N60C3H1 发布时间 时间:2025/8/6 7:25:21 查看 阅读:20

IXXX100N60C3H1 是英飞凌(Infineon)生产的一款高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高电流应用,如电源转换器、电机驱动、UPS系统和工业自动化设备。该器件基于英飞凌的CoolMOS? C3技术,具备高效能、低导通电阻以及良好的热性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  漏极电流(Id)@25°C:100A
  导通电阻(Rds(on)):最大值为7.5mΩ(具体取决于封装)
  栅极电压(Vgs):±30V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-247、TO-220、PG-TO220-3-11等
  功率耗散(Ptot):300W以上(取决于封装和散热条件)

特性

IXXX100N60C3H1 采用英飞凌先进的CoolMOS? C3技术,具有极低的导通电阻(Rds(on)),显著降低了导通损耗,从而提高了整体能效。该MOSFET具备出色的热管理性能,能够在高负载条件下保持稳定工作。
  此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高开关频率,适用于高频电源转换器设计。其高耐压能力(600V)使其适用于各种高压应用,例如工业电源、不间断电源(UPS)、电机控制和照明系统。
  该MOSFET还具备良好的短路耐受能力和过温保护性能,增强了系统可靠性。其封装设计支持高效的散热管理,适用于需要长时间高负载运行的工业和自动化设备。
  在实际应用中,IXXX100N60C3H1 能够显著提高电源转换效率,减少热量产生,并有助于缩小电路板尺寸,适用于高功率密度设计。

应用

IXXX100N60C3H1 广泛应用于各种高功率电子系统,包括工业电源、电机驱动器、不间断电源(UPS)、逆变器、充电器、LED照明系统、太阳能逆变器和自动化控制系统。其高效能和高可靠性使其成为高性能电源转换解决方案的首选器件。

替代型号

IPW60R070C7, SPW60R070C6, IKAU100N60T

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IXXX100N60C3H1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格30 : ¥185.65933管件
  • 系列GenX3?, XPT?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)170 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)340 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.2V @ 15V,70A
  • 功率 - 最大值695 W
  • 开关能量2mJ(开),950μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷150 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值30ns/90ns
  • 测试条件360V,70A,2 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)140 ns
  • 工作温度-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3 变式
  • 供应商器件封装PLUS247?-3