IXXX100N60C3H1 是英飞凌(Infineon)生产的一款高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高电流应用,如电源转换器、电机驱动、UPS系统和工业自动化设备。该器件基于英飞凌的CoolMOS? C3技术,具备高效能、低导通电阻以及良好的热性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
漏极电流(Id)@25°C:100A
导通电阻(Rds(on)):最大值为7.5mΩ(具体取决于封装)
栅极电压(Vgs):±30V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-247、TO-220、PG-TO220-3-11等
功率耗散(Ptot):300W以上(取决于封装和散热条件)
IXXX100N60C3H1 采用英飞凌先进的CoolMOS? C3技术,具有极低的导通电阻(Rds(on)),显著降低了导通损耗,从而提高了整体能效。该MOSFET具备出色的热管理性能,能够在高负载条件下保持稳定工作。
此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高开关频率,适用于高频电源转换器设计。其高耐压能力(600V)使其适用于各种高压应用,例如工业电源、不间断电源(UPS)、电机控制和照明系统。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力和过温保护性能,增强了系统可靠性。其封装设计支持高效的散热管理,适用于需要长时间高负载运行的工业和自动化设备。
在实际应用中,IXXX100N60C3H1 能够显著提高电源转换效率,减少热量产生,并有助于缩小电路板尺寸,适用于高功率密度设计。
IXXX100N60C3H1 广泛应用于各种高功率电子系统,包括工业电源、电机驱动器、不间断电源(UPS)、逆变器、充电器、LED照明系统、太阳能逆变器和自动化控制系统。其高效能和高可靠性使其成为高性能电源转换解决方案的首选器件。
IPW60R070C7, SPW60R070C6, IKAU100N60T