类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：100A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散：220W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

HSMHA100J1CATP1 MOSFET 采用了先进的TrenchFET技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。该器件具有较高的电流处理能力，额定漏极电流为100A，适用于高功率应用。其漏极-源极击穿电压为100V，能够在较高的电压条件下稳定工作。此外，该MOSFET的栅极-源极电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制性能，同时具备较强的抗过压能力。
　　该器件的封装设计优化了热管理性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的温度上升，从而提高系统的可靠性和寿命。其低导通电阻（最大8.5mΩ）不仅降低了功率损耗，还减少了散热需求，使设计更加紧凑。此外，该MOSFET的封装形式为TO-263（D2PAK），便于安装和散热管理，适用于表面贴装技术（SMT），提升了生产效率和可靠性。

HSMHA100J1CATP1 MOSFET 主要应用于高功率的电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制系统。其高电流能力和低导通电阻使其成为服务器电源、电信设备和工业自动化设备中理想的功率开关元件。此外，该器件也可用于电池管理系统、不间断电源（UPS）以及电动工具等应用。在这些应用中，HSMHA100J1CATP1 能够提供高效的功率转换，减少能量损耗，并提高系统的整体性能。

SiS100N10C、IRF1404、FDMS86180、HSMHA100J1CJ