HMC241AQS16是Analog Devices公司生产的基于GaAs pHEMT技术的低噪声放大器(LNA)芯片。该芯片工作在1至18 GHz的频率范围内,具有高增益、低噪声系数和良好的回波损耗特性。其紧凑型设计和高性能使其成为点对点无线电、VSAT系统和测试设备等应用的理想选择。
该器件采用无引线表面贴装封装(QS16),适合自动化装配工艺,并且不需要外部匹配元件即可实现宽频带操作。
频率范围:1至18 GHz
增益:15 dB
噪声系数:1.8 dB
输入回波损耗:12 dB
输出回波损耗:10 dB
输入功率(1 dB压缩点):+12 dBm
电源电压:+5 V
静态电流:75 mA
封装形式:QS16
HMC241AQS16是一款高性能的宽带放大器,具备以下主要特性:
- 宽频带操作覆盖1到18 GHz,适用于多种射频应用。
- 高增益(15 dB)确保信号强度提升,同时保持低噪声系数(1.8 dB),从而优化接收机性能。
- 出色的输入和输出回波损耗分别达到12 dB和10 dB,简化了阻抗匹配设计需求。
- 工作稳定,提供可靠的1 dB压缩点输入功率为+12 dBm。
- 封装尺寸小巧,支持表面贴装技术(SMT),便于大批量生产和集成。
- 不需要额外的外部匹配网络,进一步减少了PCB面积和成本。
HMC241AQS16可广泛应用于各种射频通信和测试测量领域,包括但不限于:
- 点对点微波无线电系统中的接收端放大。
- 卫星通信系统的低噪声前置放大。
- 测试与测量设备中用于信号增强。
- VSAT终端设备以改善弱信号环境下的数据传输质量。
- 军事雷达系统中的前端接收模块。
- 其他高频无线通信基础设施如蜂窝基站或回传链路设备。
HMC240LP3E,HMC242LP3E