H9CCNNN8KTBLBR-NUD 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第四代)内存系列。该芯片通常用于高性能计算设备、移动设备和嵌入式系统中,以提供高速数据访问和较低的功耗。这款DRAM芯片采用BGA(球栅阵列)封装,适用于需要高效内存管理的现代电子设备。
容量:8GB
电压:1.1V
接口类型:LPDDR4
数据速率:3200Mbps
封装类型:BGA
温度范围:商业级(0°C 至 85°C)
工作频率:1600MHz
位宽:x16
H9CCNNN8KTBLBR-NUD 具备多项显著特性。首先,它属于LPDDR4内存标准,支持高达3200Mbps的数据传输速率,能够提供卓越的数据处理能力,满足高性能计算和图形处理的需求。该芯片的工作频率为1600MHz,支持双倍数据速率传输,使系统在运行过程中具备更高的带宽和更低的延迟。
其次,该芯片采用1.1V的低电压设计,有效降低了功耗,适用于对能效要求较高的移动设备和嵌入式系统。在高性能模式下,仍能保持稳定的运行,减少发热问题。
此外,H9CCNNN8KTBLBR-NUD 采用x16的位宽配置,使得每个内存周期可以处理更多的数据,从而提高内存带宽利用率。该芯片支持自动刷新、自刷新和深度掉电模式等多种节能功能,进一步优化了系统的能效表现。
封装方面,该芯片使用BGA(球栅阵列)封装技术,具有良好的散热性能和较高的集成度,适合在高密度电路板设计中使用。其商业级温度范围(0°C 至 85°C)确保了在各种常见应用场景下的稳定性和可靠性。
H9CCNNN8KTBLBR-NUD 主要应用于需要高性能内存的设备和系统,如智能手机、平板电脑、嵌入式计算平台以及高端工业控制系统。在智能手机和平板电脑中,该芯片能够提供高速数据存取能力,支持流畅的多任务处理、高质量图形渲染和视频播放。在嵌入式系统中,它可以作为主内存使用,提升系统运行效率和响应速度。
此外,该芯片也适用于需要大量内存支持的工业计算机、智能汽车系统和物联网(IoT)设备。其低功耗特性使其在电池供电设备中表现出色,有助于延长设备的续航时间。
由于其高带宽和低延迟特性,该芯片还可用于高性能计算(HPC)、边缘计算设备和AI推理设备中,为复杂的算法处理和数据密集型任务提供强有力的支持。
H9CCNNN8KTBLBR-NUD的替代型号包括H9CCNNN8KMMUBR-NUD、H9CCNNN8KPLBFR-NUD、H9CCNNN8KTBLAR-NUD等,这些型号同样属于SK Hynix的LPDDR4内存系列,具有相似的容量和性能参数,可根据具体应用需求进行替换使用。