时间：2025/8/6 7:11:35
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IXXR100N60B3H1 是英飞凌（Infineon）公司生产的一款高性能功率MOSFET晶体管，广泛应用于高功率开关电源、逆变器以及电机控制等领域。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，能够在高电压和大电流条件下稳定工作。其封装形式为TO-247，便于散热和安装，适用于工业级和汽车级应用环境。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：120mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：190nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
技术：沟槽式MOSFET
IXXR100N60B3H1 具有多个显著的技术特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下的功率损耗大幅降低，提高了整体系统效率。其次，该MOSFET采用了英飞凌的沟槽式工艺技术，使器件在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗。
此外，IXXR100N60B3H1 具有较高的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。其封装设计（TO-247）具备良好的散热能力，便于在高功率应用中进行热管理。该器件还具备较强的抗短路能力和过载保护特性，增强了系统的可靠性和安全性。
值得一提的是，该MOSFET的栅极驱动特性优化，使得其与常见的驱动IC兼容性良好，简化了电路设计和实现。同时，其快速恢复二极管集成特性也提升了整体电路的响应速度和效率。
IXXR100N60B3H1 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中，例如：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。
由于其高耐压和大电流能力，该MOSFET在光伏逆变器和储能系统中也具有广泛的应用前景。此外，在汽车电子领域，如车载充电器（OBC）和电机控制系统中，IXXR100N60B3H1 也因其高可靠性和优异的热管理性能而备受青睐。
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