晶体管类型：NPN双晶体管
　　最大集电极电流：100mA（每个晶体管）
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大集电极-基极电压：30V
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23-6

LBC848AWT1G的主要特性之一是其集成的双NPN晶体管结构，这使得它在单个封装中提供了两个独立的晶体管，非常适合用于需要多个晶体管的电路设计。每个晶体管都具有最大30V的集电极-发射极电压和集电极-基极电压，允许其在中等电压应用中使用。此外，每个晶体管的最大集电极电流为100mA，能够支持中等功率的开关和放大需求。
　　这款器件的最大功耗为300mW，适合在小型电路设计中使用而不会产生过高的热量。其工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行。LBC848AWT1G采用SOT-23-6封装，具有较小的体积，非常适合用于高密度PCB设计。
　　此外，LBC848AWT1G还具有良好的电流增益（hFE）特性，能够在不同的工作电流下保持稳定的放大性能。其快速开关特性也使其适用于数字电路中的逻辑门和缓冲器设计。

LBC848AWT1G广泛应用于多种电子系统中，例如信号放大器、接口电路、电源管理模块、嵌入式控制系统以及消费类电子产品。由于其双晶体管结构，它非常适合用于需要多个晶体管协同工作的电路设计，例如H桥驱动器、继电器控制电路和LED驱动电路。
　　在音频放大器设计中，LBC848AWT1G可用于前置放大器或低功率放大级。在数字电路中，它可用于构建逻辑门、缓冲器和电平转换器。此外，由于其良好的开关特性和较高的电压容忍度，LBC848AWT1G也常用于传感器接口电路和工业控制系统中的信号调节模块。

BC848A, LBC848ABP, LBC848AWT1