时间：2025/8/6 9:43:58
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IXXH60N65C4是一款由Infineon Technologies制造的高性能N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电压、高电流的应用场景，具备出色的导通和开关性能，适用于需要高效能和可靠性的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：0.135Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Ptot）：247W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXXH60N65C4采用先进的CoolMOS?技术，提供极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，从而减少了导通和开关损耗。
该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性。
其封装设计优化了散热性能，确保在高功率应用中稳定运行。
此外，该器件符合RoHS标准，并具有良好的环境适应性。
IXXH60N65C4广泛应用于各种电力电子设备中，包括电源供应器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动系统以及工业自动化设备。
它特别适合需要高效能、高可靠性和高能效的应用场景，例如太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及工业级电源模块。
在这些应用中，IXXH60N65C4能够显著提高系统效率并减少热量产生，从而延长设备的使用寿命。
STF60N65M5, FCH65N60NF, IPW60R017C7
