时间：2025/5/23 21:47:35
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VN5016AJ-E 是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用小尺寸SOT23封装形式。该器件主要应用于低电压、低功耗的场景，具有较低的导通电阻和快速开关特性。VN5016AJ-E适用于电池供电设备、消费类电子产品以及信号切换等应用场合。
这款MOSFET的设计使其能够以较小的体积实现高效的电流控制，并且在静态功耗方面表现优异。
最大漏源电压：16V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：1.4A
导通电阻（Rds(on)）：0.17欧姆（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：4nC
总功耗：300mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
VN5016AJ-E具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提升效率。
2. 快速的开关速度，可以满足高频应用需求。
3. 小尺寸SOT23封装，便于在空间受限的设计中使用。
4. 较宽的工作温度范围，适应各种环境条件下的运行。
5. 高可靠性和稳定性，确保长期使用的性能一致性。
VN5016AJ-E广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品的电源管理。
2. 便携式设备中的负载开关。
3. 信号切换电路。
4. 电池保护和管理系统。
5. LED驱动器和其他低压应用场景。
VN5016AJTR-E, SI2302DS-T1-GE3
