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VN5016AJ-E 发布时间 时间:2025/5/23 21:47:35 查看 阅读:16

VN5016AJ-E 是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用小尺寸SOT23封装形式。该器件主要应用于低电压、低功耗的场景,具有较低的导通电阻和快速开关特性。VN5016AJ-E适用于电池供电设备、消费类电子产品以及信号切换等应用场合。
  这款MOSFET的设计使其能够以较小的体积实现高效的电流控制,并且在静态功耗方面表现优异。

参数

最大漏源电压:16V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:1.4A
  导通电阻(Rds(on)):0.17欧姆(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:4nC
  总功耗:300mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

VN5016AJ-E具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提升效率。
  2. 快速的开关速度,可以满足高频应用需求。
  3. 小尺寸SOT23封装,便于在空间受限的设计中使用。
  4. 较宽的工作温度范围,适应各种环境条件下的运行。
  5. 高可靠性和稳定性,确保长期使用的性能一致性。

应用

VN5016AJ-E广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品的电源管理。
  2. 便携式设备中的负载开关。
  3. 信号切换电路。
  4. 电池保护和管理系统。
  5. LED驱动器和其他低压应用场景。

替代型号

VN5016AJTR-E, SI2302DS-T1-GE3

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VN5016AJ-E参数

  • 其它有关文件VN5016AJ-E View All Specifications
  • 标准包装100
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列VIPower™
  • 类型高端
  • 输入类型非反相
  • 输出数1
  • 导通状态电阻16 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道46A
  • 电流 - 峰值输出65A
  • 电源电压4.5 V ~ 36 V
  • 工作温度-40°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerSSO-12
  • 供应商设备封装PowerSSO-12
  • 包装管件