时间：2025/8/25 1:36:25
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TSM4ND50CP 和 FQD3N73C 是两款不同类型的电子元器件，常用于电源管理、功率控制和开关电路中。TSM4ND50CP 是由东芝（Toshiba）制造的一款功率MOSFET，而 FQD3N73C 则是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型MOSFET。这两款器件在DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及各种高功率应用中具有广泛的应用。
TSM4ND50CP:
类型: N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）: 4A
最大漏源电压（VDS）: 500V
导通电阻（RDS(on))：约2.5Ω
封装类型: TO-220
FQD3N73C:
类型: N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）: 3A
最大漏源电压（VDS）: 730V
导通电阻（RDS(on))：约3.0Ω
封装类型: TO-220
工作温度范围: -55°C 至 150°C
TSM4ND50CP 具有较高的漏源击穿电压（500V），适合用于高压开关应用。该器件采用了先进的沟槽工艺，以降低导通电阻并提高效率。此外，TSM4ND50CP 的TO-220封装形式具有良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。该MOSFET具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高电源转换效率。
FQD3N73C 是一款高压N沟道MOSFET，具有高达730V的漏源电压耐受能力，适用于高压电源转换和控制电路。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和可靠性。FQD3N73C 在高温环境下仍能保持稳定工作，适合用于工业电源、照明系统和电池供电设备中。
TSM4ND50CP 主要用于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、马达驱动器、LED照明驱动电源以及工业自动化控制设备。由于其高压耐受能力和良好的热管理特性，TSM4ND50CP 适用于需要高可靠性的电源系统设计。
FQD3N73C 常见于高压电源管理、LED照明、电池管理系统、太阳能逆变器、工业电机控制以及各种需要高压开关能力的电子设备中。该器件的高耐压特性和良好的热稳定性使其成为高压功率电路中的理想选择。
TSM4ND50CP 可以使用 Toshiba 的 TSM4ND60CP 或者其他厂商如 STMicroelectronics 的 STD4NK60Z 进行替代。
FQD3N73C 可以使用 Fairchild 的 FQP3N73 或 Infineon 的 IPD3N73C3 作为替代型号。
