时间：2025/8/5 19:47:50
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IXTY64N055T-TRL是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高效电源转换器、DC-DC转换器、电池管理系统以及开关电源等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于高要求的工业和汽车电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：55V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：64A
导通电阻(RDS(on))：17mΩ（典型值）
最大功耗(PD)：125W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
IXTY64N055T-TRL具有多个优异的电气和物理特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为17毫欧姆，显著降低了导通损耗，提高了能效。其次，该MOSFET支持高达64A的连续漏极电流，适用于高功率密度的设计。此外，该器件采用了TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，方便与控制器或驱动电路连接。同时，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，提升了系统在异常工作条件下的可靠性。最后，其宽工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于严苛环境条件下的工业和汽车应用。
IXTY64N055T-TRL适用于多种高功率电子系统，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。常见应用包括同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池充电和管理系统、电机控制电路、电源管理单元（PMU）以及汽车电子系统。由于其低导通电阻和高电流处理能力，它在高效率开关电源（SMPS）中尤为受欢迎，能够有效减少能量损耗并提升整体系统效率。此外，在新能源汽车、储能系统和工业自动化设备中，该MOSFET也广泛用于电源转换和能量管理模块。
IXTY64N055T-TRL的替代型号包括IXTY64N055L2T-TRL、IRF1405、SiRA14R、FDMS86181、FDP64N055L
