时间：2025/8/6 7:44:51
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IXTX4N300P3HV 是由IXYS公司生产的一款高性能功率MOSFET晶体管，采用先进的高压技术制造，具有高耐压、低导通电阻和优良的热性能。该器件广泛应用于开关电源、逆变器、马达控制、DC-DC转换器和各种高功率电子设备中。其封装形式为TO-247，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：3000V
最大漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：2.5Ω（最大）
栅极阈值电压(Vgs(th))：4.5V ~ 6.5V
最大栅极电压(Vgs)：±30V
最大功耗(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
IXTX4N300P3HV具有高耐压特性，最大漏源电压可达3000V，使其适用于高压电路设计。其低导通电阻（Rds(on)）为2.5Ω，在同类高压MOSFET中表现出色，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件具备良好的热稳定性，最大功耗为150W，能够适应较高的工作温度环境。
此外，该MOSFET的栅极阈值电压范围为4.5V至6.5V，支持标准驱动电压，便于与各种控制电路配合使用。其栅极可承受±30V的最大电压，提高了抗干扰能力和可靠性。TO-247封装设计不仅便于安装和散热，还增强了器件在高功率应用中的稳定性。
IXTX4N300P3HV采用先进的高压工艺制造，确保了在高电压和大电流条件下的稳定运行，同时具备良好的短路和过载保护能力，适用于各种高要求的工业和电力电子系统。
IXTX4N300P3HV广泛应用于高压电源系统、工业逆变器、马达驱动器、太阳能逆变器、UPS不间断电源、高频DC-DC转换器以及需要高耐压功率开关的场合。其优异的性能使其成为高可靠性电源设备的理想选择。
IXTP10P300P3HV, IXTH10P300P3HV, IXFN4N300P3HV
