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IS25LP064D-JBLE-TR 发布时间 时间:2025/9/1 9:29:05 查看 阅读:5

IS25LP064D-JBLE-TR 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的串行闪存芯片,属于高性能、低功耗的非易失性存储器(NOR Flash)系列。该器件采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)协议进行通信,适用于需要快速读取、可靠存储和高效擦写操作的应用场景。IS25LP064D 提供64Mbit(8MB)的存储容量,支持多种读写模式,包括单线、双线和四线SPI(Single/Dual/Quad SPI),提高了数据传输效率。该芯片采用工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

容量:64 Mbit
  接口:SPI(支持单线、双线、四线模式)
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装:8引脚 SOIC(150 mil)
  读取频率:最高可达104 MHz(在Quad SPI模式下)
  擦除时间:块擦除时间为1秒(典型值)
  编程时间:页编程时间为0.5毫秒(典型值)
  存储单元类型:NOR Flash

特性

IS25LP064D-JBLE-TR 具备多项先进特性,确保其在复杂环境下的稳定性和高效性。首先,该芯片支持多种SPI操作模式,包括标准SPI、双线SPI(Dual SPI)、四线SPI(Quad SPI)以及高速模式(QPI),极大地提升了数据传输速率。其最大读取频率可达104 MHz,从而实现快速启动和高效数据加载。
  其次,IS25LP064D-JBLE-TR 内置灵活的存储管理功能,支持按扇区(Sector)、块(Block)和全片(Chip)的擦除操作,便于实现固件更新和数据存储优化。此外,芯片提供硬件写保护(WP)引脚和软件写保护寄存器,有效防止误写和数据损坏。
  该器件采用低功耗设计,支持待机模式和深度掉电模式,适用于电池供电或对功耗敏感的应用。其内置的ECC(错误校正码)机制提升了数据可靠性,增强了抗干扰能力。
  IS25LP064D-JBLE-TR 还集成了上电复位检测电路,确保系统在上电后处于已知状态。同时,它支持JEDEC标准的JEDEC ID读取和SFDP(Serial Flash Discoverable Parameters)参数表,便于主机系统自动识别和配置。

应用

IS25LP064D-JBLE-TR 广泛应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中,例如工业控制、通信设备、网络设备、医疗设备、消费电子产品和汽车电子等。在嵌入式系统中,该芯片常用于存储启动代码(Boot Code)、固件(Firmware)、配置数据、操作系统映像和用户数据。
  在工业自动化领域,IS25LP064D-JBLE-TR 可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备和数据采集系统,提供快速、可靠的存储支持。
  在消费电子领域,该芯片适用于智能家电、智能穿戴设备、无线路由器等产品,满足对存储容量和读写速度的需求。
  此外,在汽车电子中,IS25LP064D-JBLE-TR 可用于车载导航系统、车载信息娱乐系统(IVI)和ADAS(高级驾驶辅助系统)中,确保在高温和复杂电磁环境下数据的稳定存储。

替代型号

Winbond W25Q64JV, Macronix MX25L6433F, Micron N25Q128A, Spansion S25FL164K

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IS25LP064D-JBLE-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥9.93789卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR(SLC)
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页40μs,800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC